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IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
4.0
3.5
3.0
Fig. 7. Input Admittance
4.5
4.0
3.5
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
3.0
25oC
2.5
T J = 125oC
25oC
2.5
2.0
- 40oC
2.0
125oC
1.5
1.0
0.5
0.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
9
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
8
7
9
8
V DS = 500V
I D = 1.5A
I G = 1mA
7
6
6
5
4
3
2
1
0
T J = 125oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.45
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10,000
1,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
10.00
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
10
Coss
Crss
0.10
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_3N100P(3C)4-03-08-A
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